كربيد السيليكون كربيد

وصف

كربيد السيليكون ويفر كربيد, هو مركب بلوري شديد الصلابة ينتج صناعياً من السيليكون والكربون بطريقة MOCVD ، ويعرضفجوة النطاق العريضة الفريدة وغيرها من الخصائص المواتية للمعامل المنخفض للتمدد الحراري ، وارتفاع درجة حرارة التشغيل ، وتبديد الحرارة الجيد ، وانخفاض خسائر التبديل والتوصيل ، وزيادة كفاءة الطاقة ، والتوصيل الحراري العالي ، وقوة انهيار المجال الكهربائي الأقوى ، فضلاً عن التيارات الأكثر تركيزًا حالة.يمكن توفير كربيد السيليكون كربيد في شركة Western Minmetals (SC) بحجم 2 × 3 '4 "و 6 (50 مم ، 75 مم ، 100 مم ، 150 مم) ، مع نوع n ، شبه عازل أو رقاقة وهمية للصناعة والتطبيق المعملي. أي مواصفات مخصصة هي الحل الأمثل لعملائنا في جميع أنحاء العالم.

التطبيقات

رقاقة كربيد كربيد السيليكون عالية الجودة 4H / 6H مثالية لتصنيع العديد من الأجهزة الإلكترونية فائقة السرعة وعالية الحرارة والجهد العالي مثل ثنائيات Schottky و SBD و MOSFETs و JFETs ذات الطاقة العالية ، إلخ. أيضًا مادة مرغوبة في البحث والتطوير في الترانزستورات ثنائية القطب ذات البوابة المعزولة والثايرستور.كمواد شبه موصلة من الجيل الجديد المتميز ، تعمل رقاقة كربيد السيليكون SiC أيضًا كموزع حراري فعال في مكونات LEDs عالية الطاقة ، أو كركيزة مستقرة وشائعة لتنمية طبقة GaN لصالح الاستكشاف العلمي المستهدف في المستقبل.

الاستفسار الآن

تفاصيل

العلامات

المواصفات الفنية

كربيد السيليكون كربيد

كربيد السيليكون كربيدفي شركة Western Minmetals (SC) Corporation يمكن توفيرها بحجم 2 × 3 '4 "و 6 (50 مم ، 75 مم ، 100 مم ، 150 مم) ، مع رقاقة من النوع n أو شبه عازلة أو وهمية للتطبيقات الصناعية والمخبرية . أي مواصفات مخصصة هي الحل الأمثل لعملائنا في جميع أنحاء العالم.

الصيغة الخطية	SiC
الوزن الجزيئي الغرامي	40.1
هيكل بلوري	Wurtzite
مظهر	صلب
نقطة الانصهار	3103 ± 40 ك
نقطة الغليان	غير متاح
الكثافة عند 300 ألف	3.21 جم / سم³
فجوة الطاقة	(3.00-3.23) فولت
المقاومة الجوهرية	> 1E5 Ω سم
CAS رقم	409-21-2
رقم EC	206-991-8

رقم.	العناصر	مواصفات القياسية
1	حجم SiC	2"	3"	4"	6"
2	قطر مم	50.8 0.38	76.2 0.38	100 0.5	150 0.5
3	طريقة النمو	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	نوع التوصيل	4H-N ، 6H-N ، 4H-SI ، 6H-SI
5	المقاومة Ω سم	0.015-0.028 ؛0.02-0.1 ؛> 1E5
6	توجيه	0 درجة ± 0.5 درجة ؛4.0 درجة باتجاه <1120>
7	سمك ميكرومتر	330 ± 25	330 ± 25	(350-500) ± 25	(350-500) ± 25
8	الموقع الأساسي المسطح	<1-100> ± 5 درجة	<1-100> ± 5 درجة	<1-100> ± 5 درجة	<1-100> ± 5 درجة
9	الطول الأساسي المسطح مم	16 ± 1.7	22.2 ± 3.2	32.5 ± 2	47.5 ± 2.5
10	الموقع المسطح الثانوي	وجه السيليكون لأعلى: 90 درجة ، في اتجاه عقارب الساعة من شقة رئيسية ± 5.0 درجة
11	الطول المسطح الثانوي مم	8 ± 1.7	11.2 ± 1.5	18 ± 2	22 ± 2.5
12	TTV ميكرومتر كحد أقصى	15	15	15	15
13	القوس ميكرومتر كحد أقصى	40	40	40	40
14	انفتل ميكرومتر كحد أقصى	60	60	60	60
15	استبعاد الحافة مم كحد أقصى	1	2	3	3
16	كثافة الأنابيب الدقيقة سم-2	<5 ، صناعية ؛<15 ، معمل ؛<50، دمية
17	سم الخلع-2	<3000 ، صناعية ؛<20000 ، معمل ؛<500000 ، دمية
18	خشونة السطح نانومتر كحد أقصى	1 (ملمع) ، 0.5 (سنتمتر)
19	شقوق	لا شيء ، للصف الصناعي
20	لوحات سداسية	لا شيء ، للصف الصناعي
21	خدوش	≤3mm ، الطول الإجمالي أقل من قطر الركيزة
22	رقائق الحافة	لا شيء ، للصف الصناعي
23	التعبئة	حاوية بسكويت الويفر المفردة محكمة الغلق في كيس من الألومنيوم المركب.

كربيد السيليكون SiC 4H / 6Hالرقاقة عالية الجودة مثالية لتصنيع العديد من الأجهزة الإلكترونية فائقة السرعة وعالية الحرارة والجهد العالي مثل ثنائيات Schottky و SBD و MOSFETs و JFETs ذات الطاقة العالية ، إلخ. وهي أيضًا مادة مرغوبة في البحث والتطوير في الترانزستورات ثنائية القطب والثايرستور ذات البوابة المعزولة.كمواد شبه موصلة من الجيل الجديد المتميز ، تعمل رقاقة كربيد السيليكون SiC أيضًا كموزع حراري فعال في مكونات LEDs عالية الطاقة ، أو كركيزة مستقرة وشائعة لتنمية طبقة GaN لصالح الاستكشاف العلمي المستهدف في المستقبل.