Epitaxial (EPI) Silicon Wafer Featured Image

رقاقة السيليكون فوق المحور (EPI)

وصف

رقاقة السيليكون فوق المحاورأو رقاقة السيليكون EPI ، عبارة عن رقاقة من طبقة بلورية شبه موصلة تترسب على السطح البلوري المصقول لركيزة السيليكون عن طريق النمو فوق المحور.قد تكون الطبقة فوق المحورية هي نفس المادة مثل الركيزة عن طريق النمو الفوقي المتجانس ، أو طبقة غريبة ذات جودة مرغوبة محددة عن طريق النمو الفوقي غير المتجانس ، والتي تتبنى تقنية النمو فوق المحورية التي تشمل ترسيب البخار الكيميائي CVD ، المرحلة السائلة epitaxy LPE ، وكذلك الحزمة الجزيئية epitaxy MBE لتحقيق أعلى جودة لكثافة عيوب منخفضة وخشونة سطحية جيدة.تُستخدم رقائق السيليكون Epitaxial بشكل أساسي في إنتاج أجهزة أشباه الموصلات المتقدمة ، وعناصر أشباه الموصلات المتكاملة للغاية ، والأجهزة المنفصلة والطاقة ، وتستخدم أيضًا لعنصر الصمام الثنائي والترانزستور أو الركيزة لـ IC مثل النوع ثنائي القطب ، وأجهزة MOS و BiCMOS.علاوة على ذلك ، غالبًا ما تستخدم رقائق السيليكون EPI ذات الأغشية الفوقية والسميكة في تطبيقات الإلكترونيات الدقيقة والضوئيات والخلايا الكهروضوئية.

توصيل

يمكن تقديم رقائق السيليكون الفوقي أو رقاقة السيليكون EPI في شركة Western Minmetals (SC) بحجم 4 و 5 و 6 بوصات (قطر 100 مم ، 125 مم ، 150 مم) ، بتوجيه <100> ، <111> ، مقاومة طبقة إزالة الشعر <1 أوم - سم أو حتى 150 أوم - سم ، وسماكة إزالة الشعر أقل من 1 ميكرومتر أو حتى 150 ميكرومتر ، لتلبية المتطلبات المختلفة في تشطيب السطح للمعالجة المحفورة أو LTO ، معبأة في علبة مع صندوق كرتوني بالخارج ، أو كمواصفات مخصصة للحل الأمثل .

الاستفسار الآن

تفاصيل

العلامات

المواصفات الفنية

رقاقة إيبي سيليكون

رقائق السيليكون الفوقيأو EPI Silicon Wafer في Western Minmetals (SC) Corporation يمكن تقديمها بحجم 4 و 5 و 6 بوصات (100 مم ، 125 مم ، قطر 150 مم) ، مع اتجاه <100> ، <111> ، مقاومة لإزالة الشعر <1ohm-cm أو حتى 150 أوم - سم ، وسمك طبقة إزالة الشعر أقل من 1 ميكرومتر أو ما يصل إلى 150 ميكرومتر ، لتلبية المتطلبات المختلفة في تشطيب السطح للمعالجة المحفورة أو LTO ، معبأة في علبة مع صندوق كرتوني بالخارج ، أو كمواصفات مخصصة للحل الأمثل.

رمز	Si
العدد الذري	14
الوزن الذري	28.09
فئة العنصر	ميتالويد
المجموعة ، الفترة ، الكتلة	14 ، 3 ، ص
هيكل بلوري	الماس
اللون	الرمادي الداكن
نقطة الانصهار	1414 درجة مئوية ، 1687.15 ك
نقطة الغليان	3265 درجة مئوية ، 3538.15 ك
الكثافة عند 300 ألف	2.329 جم / سم³
المقاومة الجوهرية	3.2E5 Ω سم
CAS رقم	7440-21-3
رقم EC	231-130-8

رقم.	العناصر	مواصفات القياسية
1	الخصائص العامة
1-1	بحجم	4"	5"	6"
1-2	قطر مم	100 ± 0.5	125 ± 0.5	150 ± 0.5
1-3	توجيه	<100> ، <111>	<100> ، <111>	<100> ، <111>
2	خصائص الطبقة فوق المحورية
2-1	طريقة النمو	CVD	CVD	CVD
2-2	نوع التوصيل	P أو P + ، N / أو N +	P أو P + ، N / أو N +	P أو P + ، N / أو N +
2-3	سمك ميكرومتر	2.5-120	2.5-120	2.5-120
2-4	التوحيد سمك	≤3٪	≤3٪	≤3٪
2-5	المقاومة Ω سم	0.1-50	0.1-50	0.1-50
2-6	توحيد المقاومة	≤3٪	≤5٪	-
2-7	خلع سم 2	<10	<10	<10
2-8	جودة السطح	لا توجد رقائق أو ضباب أو قشر برتقال ، إلخ.
3	التعامل مع خصائص الركيزة
3-1	طريقة النمو	CZ	CZ	CZ
3-2	نوع التوصيل	ف / ن	ف / ن	ف / ن
3-3	سمك ميكرومتر	525-675	525-675	525-675
3-4	سمك التوحيد ماكس	3%	3%	3%
3-5	المقاومة Ω سم	كما هو مطلوب	كما هو مطلوب	كما هو مطلوب
3-6	توحيد المقاومة	5%	5%	5%
3-7	TTV ميكرومتر كحد أقصى	10	10	10
3-8	القوس ميكرومتر كحد أقصى	30	30	30
3-9	انفتل ميكرومتر كحد أقصى	30	30	30
3-10	EPD سم -2 كحد أقصى	100	100	100
3-11	ملف الحافة	مدور	مدور	مدور
3-12	جودة السطح	لا توجد رقائق أو ضباب أو قشر برتقال ، إلخ.
3-13	الجانب الخلفي النهاية	محفور أو LTO (5000 ± 500Å)
4	التعبئة	كاسيت داخل ، علبة كرتون بالخارج.

رقائق السيليكون فوق المحورتستخدم بشكل أساسي في إنتاج أجهزة أشباه الموصلات المتقدمة ، وعناصر أشباه الموصلات المتكاملة للغاية ، والأجهزة المنفصلة والطاقة ، وتستخدم أيضًا لعنصر الصمام الثنائي والترانزستور أو الركيزة لـ IC مثل النوع ثنائي القطب ، وأجهزة MOS و BiCMOS.علاوة على ذلك ، غالبًا ما تستخدم رقائق السيليكون EPI ذات الأغشية الفوقية والسميكة في تطبيقات الإلكترونيات الدقيقة والضوئيات والخلايا الكهروضوئية.