زرنيخيد الغاليوم

وصف

مركب الزرنيخGaAs هو أشباه الموصلات ذات فجوة النطاق المباشر للمجموعة III-V المركبة بواسطة ما لا يقل عن 6N 7N عالية النقاء من الغاليوم والزرنيخ ، وبلورة نمت بواسطة عملية VGF أو LEC من زرنيخيد الغاليوم متعدد البلورات عالي النقاء ، مظهر اللون الرمادي ، بلورات مكعبة مع هيكل الزنك المخلوط.باستخدام المنشطات من الكربون أو السيليكون أو التيلوريوم أو الزنك للحصول على الموصلية من النوع n أو النوع p والموصلية شبه العازلة على التوالي ، يمكن تقطيع بلورة أسطوانية InAs وتصنيعها إلى شرائح فارغة ورقاقة في شكل مقطوع أو محفور أو مصقول أو epi - جاهز لنمو فوق MBE أو MOCVD.تُستخدم رقاقة أرسينيد الغاليوم بشكل أساسي في تصنيع الأجهزة الإلكترونية مثل الثنائيات الباعثة للضوء بالأشعة تحت الحمراء ، وثنائيات الليزر ، والنوافذ الضوئية ، والترانزستورات ذات التأثير الميداني ، و FETs الخطية ، والخلايا الشمسية.تعتبر مكونات GaAs مفيدة في الترددات اللاسلكية الفائقة وتطبيق التبديل الإلكتروني السريع وتطبيقات تضخيم الإشارة الضعيفة.علاوة على ذلك ، تعتبر ركيزة Gallium Arsenide مادة مثالية لتصنيع مكونات الترددات اللاسلكية وتردد الميكروويف والدوائر المتكاملة المتجانسة وأجهزة LEDs في أنظمة الاتصالات والتحكم الضوئية من أجل تنقلها في القاعة المشبعة واستقرارها في الطاقة ودرجة الحرارة.

توصيل

غاليوم أرسينيد GaAs في شركة Western Minmetals (SC) يمكن توفيرها على شكل كتلة متعددة الكريستالات أو رقاقة بلورية مفردة في رقائق مقطعة أو محفورة أو مصقولة أو جاهزة epi بحجم 2 "3" 4 "و 6" (50 مم ، بقطر 75 مم ، 100 مم ، 150 مم) ، مع موصلية من النوع p ، أو من النوع n أو شبه عازلة ، واتجاه <111> أو <100>.المواصفات المخصصة هي الحل الأمثل لعملائنا في جميع أنحاء العالم.

الاستفسار الآن

تفاصيل

العلامات

المواصفات الفنية

مركب الزرنيخ

GaAs

زرنيخيد الغاليومتُستخدم الرقاقات بشكل أساسي في تصنيع الأجهزة الإلكترونية مثل الثنائيات الباعثة للضوء بالأشعة تحت الحمراء ، والصمامات الثنائية الليزرية ، والنوافذ البصرية ، والترانزستورات ذات التأثير الميداني ، والخطية من الدوائر المتكاملة الرقمية والخلايا الشمسية.تعتبر مكونات GaAs مفيدة في الترددات اللاسلكية الفائقة وتطبيق التبديل الإلكتروني السريع وتطبيقات تضخيم الإشارة الضعيفة.علاوة على ذلك ، تعتبر ركيزة Gallium Arsenide مادة مثالية لتصنيع مكونات الترددات اللاسلكية وتردد الميكروويف والدوائر المتكاملة المتجانسة وأجهزة LEDs في أنظمة الاتصالات والتحكم الضوئية من أجل تنقلها في القاعة المشبعة واستقرارها في الطاقة ودرجة الحرارة.

رقم.	العناصر	مواصفات القياسية
1	بحجم	2"	3"	4"	6"
2	قطر مم	50.8 ± 0.3	76.2 ± 0.3	100 ± 0.5	150 ± 0.5
3	طريقة النمو	VGF	VGF	VGF	VGF
4	نوع التوصيل	نوع N / Si أو Te-doped ، P-Type / Zn-doped ، شبه عازل / غير مخدر
5	توجيه	(100) ± 0.5 درجة	(100) ± 0.5 درجة	(100) ± 0.5 درجة	(100) ± 0.5 درجة
6	سمك ميكرومتر	350 ± 25	625 ± 25	625 ± 25	650 ± 25
7	اتجاه مسطح مم	17 ± 1	22 ± 1	32 ± 1	الشق
8	تحديد شقة مم	7 ± 1	12 ± 1	18 ± 1	-
9	المقاومة Ω سم	(1-9) E (-3) للنوع p أو النوع n ، (1-10) E8 للعزل شبه
10	التنقل cm2 / مقابل	50-120 للنوع p ، (1-2.5) E3 للنوع n ، ≥4000 للعزل شبه
11	تركيز الناقل سم 3	(5-50) E18 للنوع p ، (0.8-4) E18 للنوع n
12	TTV ميكرومتر كحد أقصى	10	10	10	10
13	القوس ميكرومتر كحد أقصى	30	30	30	30
14	انفتل ميكرومتر كحد أقصى	30	30	30	30
15	EPD سم -2	5000	5000	5000	5000
16	صقل الأسطح	P / E ، P / P	P / E ، P / P	P / E ، P / P	P / E ، P / P
17	التعبئة	حاوية بسكويت الويفر المفردة محكمة الغلق في كيس من الألومنيوم المركب.
18	ملاحظات	رقاقات GaAs ذات الدرجة الميكانيكية متاحة أيضًا عند الطلب.

الصيغة الخطية	GaAs
الوزن الجزيئي الغرامي	144.64
هيكل بلوري	مزيج الزنك
مظهر	صلبة بلورية رمادية
نقطة الانصهار	1400 درجة مئوية ، 2550 درجة فهرنهايت
نقطة الغليان	غير متاح
الكثافة عند 300 ألف	5.32 جم / سم³
فجوة الطاقة	1.424 فولت
المقاومة الجوهرية	3.3E8 Ω سم
CAS رقم	1303-00-0
رقم EC	215-114-8

زرنيخيد الغاليومفي Western Minmetals (SC) Corporation يمكن توفيرها على شكل مقطوع متعدد الكريستالات أو رقاقة بلورية مفردة في رقائق مقطعة أو محفورة أو مصقولة أو جاهزة epi بحجم 2 "3" 4 "و 6" (50 مم ، 75 مم ، 100 مم ، 150 مم) ، مع الموصلية من النوع p أو النوع n أو شبه العزل ، واتجاه <111> أو <100>.المواصفات المخصصة هي الحل الأمثل لعملائنا في جميع أنحاء العالم.