زرنيخيد الإنديوم InAs

وصف

زرنيخ الإنديوم InAs Crystal عبارة عن شبه موصل مركب من المجموعة III-V تم تصنيعه بواسطة عنصر إنديوم وزرنيخ نقي 6N 7N على الأقل وبلورة مفردة نمت بواسطة VGF أو عملية Czochralski السائلة المغلفة (LEC) ، مظهر اللون الرمادي ، بلورات مكعبة مع هيكل الزنك المخلوط ، درجة انصهار 942 درجة مئوية.فجوة نطاق زرنيخيد الإنديوم هي انتقال مباشر مماثل لزرنيخيد الغاليوم ، وعرض النطاق المحظور هو 0.45 eV (300K).تتميز بلورات InAs بتوحيد عالٍ للمعلمات الكهربائية ، وشبكة شعرية ثابتة ، وحركة إلكترون عالية ، وكثافة عيوب منخفضة.يمكن تقطيع بلورة InAs الأسطوانية المزروعة بواسطة VGF أو LEC إلى شرائح وتصنيعها على شكل رقاقة مقطوعة أو محفورة أو مصقولة أو جاهزة للتركيب الفوقي لنمو MBE أو MOCVD.

التطبيقات

الرقاقة البلورية لزرنيخيد الإنديوم هي ركيزة رائعة لصنع أجهزة هول ومستشعر المجال المغناطيسي لحركتها الفائقة في القاعة ولكن ذات فجوة نطاق الطاقة الضيقة ، وهي مادة مثالية لبناء أجهزة الكشف عن الأشعة تحت الحمراء مع نطاق الطول الموجي من 1 إلى 3.8 ميكرومتر المستخدمة في التطبيقات عالية الطاقة في درجة حرارة الغرفة ، بالإضافة إلى أشعة الليزر ذات الشبكة الفائقة بالأشعة تحت الحمراء ذات الطول الموجي المتوسط ، يتم تصنيع أجهزة LED للأشعة تحت الحمراء المتوسطة لنطاق الطول الموجي 2-14 ميكرومتر.علاوة على ذلك ، تعتبر InAs ركيزة مثالية لزيادة دعم بنية InGaAs غير المتجانسة أو InAsSb أو InAsPSb & InNAsSb أو AlGaSb وما إلى ذلك.

الاستفسار الآن

تفاصيل

العلامات

المواصفات الفنية

زرنيخيد الإنديوم

InAs

رقاقة كريستال أرسينيد الإنديومهي ركيزة رائعة لصنع أجهزة Hall ومستشعر المجال المغناطيسي من أجل تنقلها الفائق في القاعة ولكن فجوة نطاق الطاقة الضيقة ، وهي مادة مثالية لبناء أجهزة الكشف عن الأشعة تحت الحمراء مع نطاق الطول الموجي من 1 إلى 3.8 ميكرومتر المستخدمة في تطبيقات الطاقة العالية في درجة حرارة الغرفة ، بالإضافة إلى ليزر متوسط الطول الموجي بالأشعة تحت الحمراء للشبكة الفائقة ، وتصنيع أجهزة LED للأشعة تحت الحمراء المتوسطة لنطاق الطول الموجي 2-14 ميكرومتر.علاوة على ذلك ، تعد InAs ركيزة مثالية لدعم بنية InGaAs غير المتجانسة أو InAsSb أو InAsPSb & InNAsSb أو AlGaSb أو الهيكل الشبكي الفائق الخ.

رقم.	العناصر	مواصفات القياسية
1	بحجم	2"	3"	4"
2	قطر مم	50.5 ± 0.5	76.2 ± 0.5	100 ± 0.5
3	طريقة النمو	LEC	LEC	LEC
4	التوصيل	P-type / Zn-doped ، N-type / S-doped ، غير مخدر
5	توجيه	(100) ± 0.5 درجة ، (111) ± 0.5 درجة
6	سمك ميكرومتر	500 ± 25	600 ± 25	800 ± 25
7	اتجاه مسطح مم	16 ± 2	22 ± 2	32 ± 2
8	تحديد شقة مم	8 ± 1	11 ± 1	18 ± 1
9	التنقل cm2 / Vs	60-300 أو 2000 أو حسب الحاجة
10	تركيز الناقل سم 3	(3-80) E17 أو ≤5E16
11	TTV ميكرومتر كحد أقصى	10	10	10
12	القوس ميكرومتر كحد أقصى	10	10	10
13	انفتل ميكرومتر كحد أقصى	15	15	15
14	كثافة الخلع سم -2 كحد أقصى	1000	2000	5000
15	صقل الأسطح	P / E ، P / P	P / E ، P / P	P / E ، P / P
16	التعبئة	حاوية بسكويت ويفر مفردة محكمة الغلق في كيس من الألومنيوم.

الصيغة الخطية	InAs
الوزن الجزيئي الغرامي	189.74
هيكل بلوري	مزيج الزنك
مظهر	صلبة بلورية رمادية
نقطة الانصهار	(936-942) درجة مئوية
نقطة الغليان	غير متاح
الكثافة عند 300 ألف	5.67 جم / سم³
فجوة الطاقة	0.354 فولت
المقاومة الجوهرية	0.16 Ω سم
CAS رقم	1303-11-3
رقم EC	215-115-3

زرنيخيد الإنديوم InAsفي شركة Western Minmetals (SC) Corporation يمكن توفيرها على شكل كتلة متعددة الكريستالات أو قطعة بلورية مفردة على شكل رقائق مقطوعة أو محفورة أو مصقولة أو جاهزة للتوصيل بالحرارة بحجم 2 "3" و 4 "(50 مم ، 75 مم ، 100 مم) ، و الموصلية من النوع p أو n أو un-doped وتوجيه <111> أو <100>.المواصفات المخصصة هي الحل الأمثل لعملائنا في جميع أنحاء العالم.